RTP快速熱擴散和常規(guī)熱擴散的比較RTP系統(tǒng)采用光加熱方式，而常規(guī)熱擴散采用的是電阻爐加熱，這是它們主要區(qū)別。RTP快速熱擴散和傳統(tǒng)熱擴散的比較見，加熱過程和擴散時間的比較如。RTP快速熱擴散和傳統(tǒng)熱擴散的熱周期完全取決于它們的應用，但通常都包含這樣的一個過程：升溫到設定的高溫，片子在特定的溫度下保持設定的時間，然后再降溫。它們的不同之處在于：RTP快速熱擴散有快的升降溫速率，要求進行復雜的、多階段的熱處理。

　　RTP快速熱擴散最大的不同之處在于：在RTP系統(tǒng)里，被處理的片子和周圍環(huán)境從沒有處在熱平衡狀態(tài)。

　　RTP快速擴散模型在常規(guī)擴散里，雜質原子是基于熱力學而進行的擴散，主要靠漂移場和濃度梯度場的作用。而在快速熱擴散中，除了有熱力學作用外，主要受到光效應的作用，特別是高能光子的作用<43、45、46、47>，其他還有氧化增強效應<6>，瞬態(tài)增強效應<31、47>和場助效應等<38>。

　　對Si而言，相關系數(shù)f=0.78，協(xié)調(diào)因子nc=4。因為空位的形成要求的能量相當高，所以可以假定Sf和Hf保持不變。在給定的工藝溫度下，導致擴散系數(shù)有凈增值<45>。這就從理論上說明了在快速擴散中是擴散為什么快。

　　RTP硅太陽電池的實驗室制造盡管RTP技術在1965年就出現(xiàn)，但是它在太陽電池的制造中一直未見應用。直到1985年才有報道在實驗室里用RTP技術來制作太陽電池的p-n結。

　　RTPFZ單晶硅太陽電池FZ（floatzone）是區(qū)熔單晶硅，一般用作集成電路的材料。RTPFZ單晶硅太陽電池的最高實驗室效率是19.1%。由于硅片面積、制作工藝不一樣，所以效率有差別。近年來，RTP硅太陽電池一般都制作選擇性高低結。有利于載流子的收集和減低表面復合速度，從而提高短路電流和開路電壓。RTPFZ硅太陽電池效率由于不同的單位在不同的年代采用的制作工藝有所不同，在區(qū)熔單晶硅上得到轉換效率也不一樣，RTPFZ單晶硅太陽電池的發(fā)展過程見。

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